SI5480DU-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI5480DU-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 7.2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI5480 |
SI5480DU-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI5480DU-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET
VISHAY 1206-8
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
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MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI5480DU-T1-E3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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